中國新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。

  與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比，碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。

  自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用開發(fā)，展開了深入的技術(shù)交流。此次聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，旨在利用羅姆的SiC MOSFET*3裸芯片和隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)行車載功率模塊和逆變器的開發(fā)。今后，雙方將進(jìn)一步加速開發(fā)以SiC為中心的創(chuàng)新型電源解決方案。

  臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士(右)與羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司董事兼總經(jīng)理久保田進(jìn)矢(左)在揭牌儀式上握手

  臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士表示，“碳化硅功率半導(dǎo)體模塊在新能源汽車上的應(yīng)用是接下來幾年行業(yè)的大勢所趨，加緊匯集全球資源、加快產(chǎn)業(yè)化研發(fā)、加速成熟碳化硅產(chǎn)品商業(yè)化落地將有效保證零部件廠商核心競爭力。臻驅(qū)科技自成立以來便得到羅姆的大力支持，臻驅(qū)愿借此次聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室東風(fēng)，深化雙方合作關(guān)系，協(xié)同共進(jìn)?！?

  羅姆執(zhí)行董事 功率元器件事業(yè)本部長 伊野和英博士表示，“羅姆作為碳化硅元器件的領(lǐng)先廠商，提供領(lǐng)先業(yè)界的元器件技術(shù)和驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，且擁有傲人業(yè)績，并針對xEV推動(dòng)SiC的普及。在SiC功率元器件的技術(shù)開發(fā)方面，把握客戶需求和市場動(dòng)向是非常重要的要素。臻驅(qū)科技作為車載功率模塊和逆變器廠商，在SiC應(yīng)用研究方面發(fā)揮著重要的作用。羅姆希望通過成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系，憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術(shù)革新做出貢獻(xiàn)?！?

  關(guān)于臻驅(qū)科技

  臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家致力于提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車動(dòng)力解決方案的高科技公司。憑借領(lǐng)先的正向設(shè)計(jì)和工程應(yīng)用能力，臻驅(qū)開發(fā)并集成應(yīng)用高性能、低成本的動(dòng)力總成與功率模塊產(chǎn)品。臻驅(qū)科技在下一代寬禁帶材料碳化硅上有深厚的技術(shù)積淀，積累了十年以上的碳化硅模塊和系統(tǒng)的開發(fā)和使用經(jīng)驗(yàn)。團(tuán)隊(duì)擁有百余項(xiàng)國際專利，代表了在新能源、電能轉(zhuǎn)換及電力電子三大領(lǐng)域的國際先進(jìn)水準(zhǔn)。

  關(guān)于羅姆

  羅姆是成立于1958年的半導(dǎo)體和電子元件制造商。通過遍及全球的開發(fā)與銷售網(wǎng)絡(luò)，為汽車和工業(yè)設(shè)備市場以及消費(fèi)電子、通信等眾多市場提供高品質(zhì)和高可靠性的IC、分立半導(dǎo)體和電子元器件產(chǎn)品。在羅姆擅長的模擬電源領(lǐng)域，羅姆的優(yōu)勢是提供包括SiC功率元器件及充分發(fā)揮其性能的驅(qū)動(dòng)IC、以及晶體管、二極管、電阻器等外圍元器件在內(nèi)的系統(tǒng)整體的優(yōu)化解決方案。

  <術(shù)語解說>

  (1)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管)

  同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

  (2) 傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗

  因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過元器件時(shí)(ON狀態(tài)時(shí))，受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)(開關(guān)動(dòng)作時(shí))產(chǎn)生的損耗。

  (3)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

  金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。用作開關(guān)元件。